창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD30N06S4L23ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD30N06S4L-23 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 10µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1560pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 36W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD30N06S4L-23 IPD30N06S4L-23-ND SP000374320 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD30N06S4L23ATMA1 | |
관련 링크 | IPD30N06S4, IPD30N06S4L23ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ERZ-E11A112 | VARISTOR 1100V 5KA DISC 13MM | ERZ-E11A112.pdf | ||
CRCW0402255RFKTD | RES SMD 255 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402255RFKTD.pdf | ||
IGID212-2 | IGID212-2 ST PLCC | IGID212-2.pdf | ||
1589326HC | 1589326HC AD CDIP16 | 1589326HC.pdf | ||
MX29F002BQC-70 | MX29F002BQC-70 MX PLCC28 | MX29F002BQC-70.pdf | ||
GTT8822 | GTT8822 GTM TSOP-6 | GTT8822.pdf | ||
620252100023 | 620252100023 CCB SMD or Through Hole | 620252100023.pdf | ||
501594-3011 | 501594-3011 molex SMD or Through Hole | 501594-3011.pdf | ||
ADP3040A | ADP3040A AD S0P8 | ADP3040A.pdf | ||
D784038GC-326 | D784038GC-326 NEC QFP80 | D784038GC-326.pdf | ||
RS8M0R00-X1 | RS8M0R00-X1 ORIGINAL SMD or Through Hole | RS8M0R00-X1.pdf | ||
HMBT5239B/MMBT5239BLT1G | HMBT5239B/MMBT5239BLT1G HI-SINCERITY SOT-23 | HMBT5239B/MMBT5239BLT1G.pdf |