창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD30N06S215ATMA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD30N06S2-15 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.7m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 80µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1485pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-11 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD30N06S215ATMA2-ND IPD30N06S215ATMA2TR SP001061724 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD30N06S215ATMA2 | |
관련 링크 | IPD30N06S2, IPD30N06S215ATMA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
GRM188R71E153KA01D | 0.015µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM188R71E153KA01D.pdf | ||
CPPLT7-A7BP-3.2TS | 3.2MHz TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 45mA Enable/Disable | CPPLT7-A7BP-3.2TS.pdf | ||
RC1608F4223CS | RES SMD 422K OHM 1% 1/10W 0603 | RC1608F4223CS.pdf | ||
CRA04S04320K0JTD | RES ARRAY 2 RES 20K OHM 0404 | CRA04S04320K0JTD.pdf | ||
S1L53353F21G000 | S1L53353F21G000 EPSON QFP240 | S1L53353F21G000.pdf | ||
IHB1550.12 | IHB1550.12 IP SMD or Through Hole | IHB1550.12.pdf | ||
SMSRQ-1500 | SMSRQ-1500 MCE SOT143 | SMSRQ-1500.pdf | ||
EDZ6.8B/F2 | EDZ6.8B/F2 ROHM SOD-523 | EDZ6.8B/F2.pdf | ||
EL6935F2ES | EL6935F2ES ELANTEC QFN | EL6935F2ES.pdf | ||
ULN2003APG(SC.M) | ULN2003APG(SC.M) TOSHIBA DIP-16 | ULN2003APG(SC.M).pdf | ||
CR0603-FX-4992GLF | CR0603-FX-4992GLF BOURNS SMD | CR0603-FX-4992GLF.pdf | ||
MT1389QE/P LQFP-256 SMD | MT1389QE/P LQFP-256 SMD MTK SMD or Through Hole | MT1389QE/P LQFP-256 SMD.pdf |