창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD053N08N3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD053N08N3 G | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.3m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD053N08N3GATMA1-ND IPD053N08N3GATMA1TR SP001127818 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD053N08N3GATMA1 | |
관련 링크 | IPD053N08N, IPD053N08N3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
500R07S0R3AV4T | 0.30pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | 500R07S0R3AV4T.pdf | ||
TV50C220J-G | TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMC | TV50C220J-G.pdf | ||
5KP20A-G | TVS DIODE 20VWM 32.4VC R6 | 5KP20A-G.pdf | ||
W91350N | W91350N HMC DIP | W91350N.pdf | ||
G94-655-B1 NB9E-GS1-B1 | G94-655-B1 NB9E-GS1-B1 NVIDIA BGA | G94-655-B1 NB9E-GS1-B1.pdf | ||
HDL3T043-00HH | HDL3T043-00HH ORIGINAL QFP | HDL3T043-00HH.pdf | ||
89006911 | 89006911 FCI SMD or Through Hole | 89006911.pdf | ||
LM3555TLX/NOPB | LM3555TLX/NOPB NS 12-WFBGA | LM3555TLX/NOPB.pdf | ||
ASDBAV103 | ASDBAV103 ASEMI SMD or Through Hole | ASDBAV103.pdf | ||
R7222008CJ | R7222008CJ Powerex module | R7222008CJ.pdf | ||
HDLU2416 | HDLU2416 renesas SMD or Through Hole | HDLU2416.pdf | ||
RTXM153-TL | RTXM153-TL WTD SMD or Through Hole | RTXM153-TL.pdf |