창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD038N06N3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD038N06N3 G | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8000pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD038N06N3 G IPD038N06N3 G-ND SP000397994 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD038N06N3GATMA1 | |
관련 링크 | IPD038N06N, IPD038N06N3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | BSZ520N15NS3 G | MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON | BSZ520N15NS3 G.pdf | |
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![]() | LQH4N271J04M00-03 | LQH4N271J04M00-03 ORIGINAL SMD or Through Hole | LQH4N271J04M00-03.pdf | |
![]() | FPF2302MPX | FPF2302MPX FAIRCHILD CALL | FPF2302MPX.pdf | |
![]() | 07MFG-563K-50 | 07MFG-563K-50 Fastron NA | 07MFG-563K-50.pdf | |
![]() | AT5221-3.3KER | AT5221-3.3KER IAT SOT23-5 | AT5221-3.3KER.pdf | |
![]() | WT8871-C | WT8871-C Weltrend LQFP128 | WT8871-C.pdf |