창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80P03P4L07ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80P03P4L-07 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.9m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 130µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 88W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB80P03P4L-07 IPB80P03P4L-07-ND SP000396288 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80P03P4L07ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB80P03P4, IPB80P03P4L07ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 1812R-122F | 1.2µH Unshielded Inductor 604mA 550 mOhm Max 2-SMD | 1812R-122F.pdf | |
![]() | RP73D2A24R3BTDF | RES SMD 24.3 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A24R3BTDF.pdf | |
![]() | KTLP260JX | KTLP260JX COSMO DIP SOP | KTLP260JX.pdf | |
![]() | NX25P40-VN1 | NX25P40-VN1 NX SOP8 | NX25P40-VN1.pdf | |
![]() | PPD1R5-48-1212 12V 60mA 1.44W | PPD1R5-48-1212 12V 60mA 1.44W LAMBDA SMD or Through Hole | PPD1R5-48-1212 12V 60mA 1.44W.pdf | |
![]() | 54LS00M/B2AJC | 54LS00M/B2AJC ORIGINAL SMD or Through Hole | 54LS00M/B2AJC.pdf | |
![]() | 4816P-001-330. | 4816P-001-330. BC SOP16 | 4816P-001-330..pdf | |
![]() | DS1669S-50N | DS1669S-50N DALLAS SMD or Through Hole | DS1669S-50N.pdf | |
![]() | K9F1G08R0A-JIB0000 | K9F1G08R0A-JIB0000 SAMSUNG SMD or Through Hole | K9F1G08R0A-JIB0000.pdf | |
![]() | SF14-1842 | SF14-1842 KYCORE QQ1311993571 | SF14-1842.pdf | |
![]() | SP6831EK-ADJ/TR | SP6831EK-ADJ/TR SIPEX SOT163 | SP6831EK-ADJ/TR.pdf |