Infineon Technologies IPB80N06S4L07ATMA2

IPB80N06S4L07ATMA2
제조업체 부품 번호
IPB80N06S4L07ATMA2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
IPB80N06S4L07ATMA2 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 591.01100
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IPB80N06S4L07ATMA2 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPB80N06S4L07ATMA2 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPB80N06S4L07ATMA2가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IPB80N06S4L07ATMA2 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IPB80N06S4L07ATMA2 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPB80N06S4L07ATMA2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPx80N06S4L-07
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열자동차, AEC-Q101, OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황신제품
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C80A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs6.7m옴 @ 80A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 40µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs75nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5680pF @ 25V
전력 - 최대79W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263-3-2
표준 포장 1,000
다른 이름SP001028674
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPB80N06S4L07ATMA2
관련 링크IPB80N06S4, IPB80N06S4L07ATMA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
IPB80N06S4L07ATMA2 의 관련 제품
75pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) VJ0603D750FXAAJ.pdf
FA11124_LISA2-O-PIN LED SMD or Through Hole FA11124_LISA2-O-PIN.pdf
MN15312VPL MIT DIP28 MN15312VPL.pdf
H2KB8 NO SMD or Through Hole H2KB8.pdf
S-80145CLMC-J16-T2 SEIKO SMD or Through Hole S-80145CLMC-J16-T2.pdf
AM7961IDL AMD DIP AM7961IDL.pdf
IN05E MOT SOP IN05E.pdf
C15992 (7438A) AMI SMD16 C15992 (7438A).pdf
M60-6042045 HARWIN SMD or Through Hole M60-6042045.pdf
LP3872EMP-5.0/NOPB NSC SMD or Through Hole LP3872EMP-5.0/NOPB.pdf
CL9906 CHIPLINK SOT23-5 CL9906.pdf
HMR4001 Honeywell Sensor HMR4001.pdf