창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S405ATMA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S4-05 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 60µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 81nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 107W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP001028718 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB80N06S405ATMA2 | |
관련 링크 | IPB80N06S4, IPB80N06S405ATMA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MLF2012A2R7JTD25 | 2.7µH Shielded Multilayer Inductor 50mA 550 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012A2R7JTD25.pdf | |
![]() | RP73D2A158KBTDF | RES SMD 158K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A158KBTDF.pdf | |
![]() | RCS08059R31FKEA | RES SMD 9.31 OHM 1% 0.4W 0805 | RCS08059R31FKEA.pdf | |
![]() | NTLJD3119CTB | NTLJD3119CTB ON QFN6 | NTLJD3119CTB.pdf | |
![]() | LVAC-5BB | LVAC-5BB ORIGINAL BGA | LVAC-5BB.pdf | |
![]() | LC7375 | LC7375 SANYO DIP-16 | LC7375.pdf | |
![]() | 1393240-6 | 1393240-6 TYC ORIGINAL | 1393240-6.pdf | |
![]() | MBM29LV800BE-90PBT-E1 | MBM29LV800BE-90PBT-E1 FUJI SMD or Through Hole | MBM29LV800BE-90PBT-E1.pdf | |
![]() | AAT3526ICX-3.0 TEL:82766440 | AAT3526ICX-3.0 TEL:82766440 AAT SMD or Through Hole | AAT3526ICX-3.0 TEL:82766440.pdf | |
![]() | MAX11504CUB+ | MAX11504CUB+ MAXIM SOT | MAX11504CUB+.pdf | |
![]() | GRM42-2F155Z16-530/P | GRM42-2F155Z16-530/P MURATA SMD or Through Hole | GRM42-2F155Z16-530/P.pdf |