창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S2L11ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S2L-11 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.7m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 93µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2075pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 158W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB80N06S2L-11 IPB80N06S2L-11-ND SP000218177 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB80N06S2L11ATMA1 | |
관련 링크 | IPB80N06S2, IPB80N06S2L11ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
Y1625178R000Q9W | RES SMD 178 OHM 0.02% 0.3W 1206 | Y1625178R000Q9W.pdf | ||
Y0006V0001AA0L | RES NETWORK 2 RES 10K OHM RADIAL | Y0006V0001AA0L.pdf | ||
TSOP32137 | 3V PH.MODULE 36.7KHZ S.VIEW | TSOP32137.pdf | ||
SSF2122E | SSF2122E S DFN3X3-8L | SSF2122E.pdf | ||
KMQ315VS561M25X50T2 | KMQ315VS561M25X50T2 UMITEDCHEMI-CON DIP | KMQ315VS561M25X50T2.pdf | ||
RN60E2002F | RN60E2002F VISHAY/DALE SMD or Through Hole | RN60E2002F.pdf | ||
D03316P472MLD | D03316P472MLD COI COIL | D03316P472MLD.pdf | ||
B-0515 | B-0515 MAX SMD or Through Hole | B-0515.pdf | ||
2SD5339 | 2SD5339 TOS TO-3P | 2SD5339.pdf | ||
215FAEAKA13FG/RV515 | 215FAEAKA13FG/RV515 AMD BGA | 215FAEAKA13FG/RV515.pdf | ||
TDA7296HS | TDA7296HS ST ZIP-15 | TDA7296HS.pdf | ||
KEIC-TK10492MTL | KEIC-TK10492MTL TOKO SOP16 | KEIC-TK10492MTL.pdf |