창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S2L09ATMA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S2L-09 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴 @ 52A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 125µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2620pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 190W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP001061720 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB80N06S2L09ATMA2 | |
관련 링크 | IPB80N06S2, IPB80N06S2L09ATMA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
TJ3965GR-1.2V-5 | TJ3965GR-1.2V-5 HTC TO263 | TJ3965GR-1.2V-5.pdf | ||
S1460BF-B75 | S1460BF-B75 SII SOP-28 | S1460BF-B75.pdf | ||
TLV320AIC23BPWR/BRHDR | TLV320AIC23BPWR/BRHDR TI/BB N A | TLV320AIC23BPWR/BRHDR.pdf | ||
C1808N5R0J302T | C1808N5R0J302T ORIGINAL INDUCTOR | C1808N5R0J302T.pdf | ||
07HCP-272M-50 | 07HCP-272M-50 FASTRON DIP | 07HCP-272M-50.pdf | ||
D82C54/B | D82C54/B HARRIS DIP | D82C54/B.pdf | ||
XE1000-BD | XE1000-BD MIMIX SMD or Through Hole | XE1000-BD.pdf | ||
P83C525EBA.FBA | P83C525EBA.FBA PHI PLCC44 | P83C525EBA.FBA.pdf | ||
SG-615P 2.4576M C | SG-615P 2.4576M C ORIGINAL SMD | SG-615P 2.4576M C.pdf | ||
24.57600MHZ | 24.57600MHZ KSS PDIP-8 | 24.57600MHZ.pdf | ||
PM49LF004F-33JCE | PM49LF004F-33JCE PMC PLCC | PM49LF004F-33JCE.pdf | ||
CLDTSJ-212.500MHZ | CLDTSJ-212.500MHZ RALTRON SMD or Through Hole | CLDTSJ-212.500MHZ.pdf |