Infineon Technologies IPB80N06S2L07ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB80N06S2L07ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IPB80N06S2L07ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IPB80N06S2L07ATMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPB80N06S2L07ATMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPB80N06S2L07ATMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IPB80N06S2L07ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB80N06S2L07ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S2L07ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB,IPP80N06S2L-07 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3160pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 210W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB80N06S2L-07 IPB80N06S2L-07-ND SP000218867 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80N06S2L07ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB80N06S2, IPB80N06S2L07ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IPB80N06S2L07ATMA1 의 관련 제품
 | LNX2G392MSEG | 3900µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 20000 Hrs @ 85°C | LNX2G392MSEG.pdf | |
 | ERJ-S08F1152V | RES SMD 11.5K OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-S08F1152V.pdf | |
 | CMF65200R00FKEB | RES 200 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65200R00FKEB.pdf | |
 | E-TA2012 T 3DB N7 | RF Attenuator 3dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 3DB N7.pdf | |
| E-TA2012 T 4DB N4 | RF Attenuator 4dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 4DB N4.pdf | |
| 7027LYF-820M | 7027LYF-820M TOKO SMD or Through Hole | 7027LYF-820M.pdf | |
| TD3842 | TD3842 TD SMD or Through Hole | TD3842.pdf | |
| RSMF 3 20K 5% R | RSMF 3 20K 5% R ORIGINAL SMD or Through Hole | RSMF 3 20K 5% R.pdf | |
| BC408B | BC408B MOT CAN3 | BC408B.pdf | |
| LC7385M | LC7385M SANYO SOP18L | LC7385M.pdf | |
| F17P06 | F17P06 ORIGINAL TO-220 | F17P06.pdf |