창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S207ATMA4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80N06S2-07 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.3m옴 @ 68A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 180µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP001067870 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80N06S207ATMA4 | |
| 관련 링크 | IPB80N06S2, IPB80N06S207ATMA4 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1557U1H180JZ01D | 18pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1557U1H180JZ01D.pdf | |
![]() | CMF55160K00FEBF | RES 160K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55160K00FEBF.pdf | |
![]() | HH-1T3216-800JT | HH-1T3216-800JT CERATECH SMD | HH-1T3216-800JT.pdf | |
![]() | NFCM2012KF-601T05 | NFCM2012KF-601T05 ORIGINAL SMD or Through Hole | NFCM2012KF-601T05.pdf | |
![]() | 0.10UH/2520 | 0.10UH/2520 PANASONIC SMD | 0.10UH/2520.pdf | |
![]() | M541222-25TK | M541222-25TK MEMORY SMD | M541222-25TK.pdf | |
![]() | 8390ACP | 8390ACP SI QFN | 8390ACP.pdf | |
![]() | 100750015 | 100750015 D/C DIP | 100750015.pdf | |
![]() | QA455D2U | QA455D2U ORIGINAL SMD or Through Hole | QA455D2U.pdf | |
![]() | HT6P208 | HT6P208 NULL SOP8 | HT6P208.pdf |