창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S207ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S2-07 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.3m옴 @ 68A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 180µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB80N06S2-07 IPB80N06S2-07-ND SP000218818 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB80N06S207ATMA1 | |
관련 링크 | IPB80N06S2, IPB80N06S207ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
Y008924K0000TR1R | RES 24K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y008924K0000TR1R.pdf | ||
MCP809T-475I/TT TEL:82766440 | MCP809T-475I/TT TEL:82766440 MCP SMD or Through Hole | MCP809T-475I/TT TEL:82766440.pdf | ||
P3P18S19BF-08SR | P3P18S19BF-08SR ON SOP-8 | P3P18S19BF-08SR.pdf | ||
6135567-8 | 6135567-8 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6135567-8.pdf | ||
A512597 | A512597 ORIGINAL SOP8 | A512597.pdf | ||
IXA285WJZZQ | IXA285WJZZQ ORIGINAL SMD or Through Hole | IXA285WJZZQ.pdf | ||
TMK212BJ225KG | TMK212BJ225KG TAIYO SMD | TMK212BJ225KG.pdf | ||
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R5S72624W144FP | R5S72624W144FP RENESAS SMD or Through Hole | R5S72624W144FP.pdf | ||
RP15-2412SAW | RP15-2412SAW RCM SMD or Through Hole | RP15-2412SAW.pdf | ||
80ZLH390M12.5X30 | 80ZLH390M12.5X30 RUBYCON DIP | 80ZLH390M12.5X30.pdf | ||
UTCLD1117-2.5V-A | UTCLD1117-2.5V-A UTC SOT-223 | UTCLD1117-2.5V-A.pdf |