창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB60R600C6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R600C6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 2.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB60R600C6-ND IPB60R600C6ATMA1 SP000660626 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB60R600C6 | |
관련 링크 | IPB60R, IPB60R600C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VJ0805D751KLAAT | 750pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D751KLAAT.pdf | ||
FMP200JR-52-330K | RES 330K OHM 2W 5% AXIAL | FMP200JR-52-330K.pdf | ||
MBR0520LT1G B2 | MBR0520LT1G B2 ONS SOD-123 | MBR0520LT1G B2.pdf | ||
XCS10XL TQ144 | XCS10XL TQ144 XILINX QFP | XCS10XL TQ144.pdf | ||
B12B-PAMK-1(LF)(SN) | B12B-PAMK-1(LF)(SN) JST SMD | B12B-PAMK-1(LF)(SN).pdf | ||
PAL16X4CN | PAL16X4CN MMI SMD or Through Hole | PAL16X4CN.pdf | ||
YSDA12T | YSDA12T Yeashin SOD-523 | YSDA12T.pdf | ||
AZ849P1-09P1 | AZ849P1-09P1 ZETTLER SMD or Through Hole | AZ849P1-09P1.pdf | ||
M58887P | M58887P MIT DIP42P | M58887P.pdf | ||
EW65 | EW65 N/A SOP14 | EW65.pdf | ||
IMSH51E03A1F1C-10F | IMSH51E03A1F1C-10F Qimonda Tray | IMSH51E03A1F1C-10F.pdf |