창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB60R380P6ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R380P6 | |
주요제품 | Solutions for 3D Printers Automatic Opening Systems | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ P6 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 3.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 320µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 877pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB60R380P6ATMA1TR SP001364472 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB60R380P6ATMA1 | |
관련 링크 | IPB60R380, IPB60R380P6ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SIT2024BA-S2-33E-40.000000E | OSC XO 3.3V 40MHZ OE | SIT2024BA-S2-33E-40.000000E.pdf | |
![]() | RTY360LVEBA | SENSOR HALL EFFECT ROTARY | RTY360LVEBA.pdf | |
![]() | USD640C | USD640C ORIGINAL SMD or Through Hole | USD640C.pdf | |
![]() | TC58NVG02A1FT10 | TC58NVG02A1FT10 TOSHIBA TSOP48 | TC58NVG02A1FT10.pdf | |
![]() | SG7912K | SG7912K LINFINITY TO | SG7912K.pdf | |
![]() | T1218N22 | T1218N22 EUPEC SMD or Through Hole | T1218N22.pdf | |
![]() | M27C512NE200 | M27C512NE200 NSC SMD or Through Hole | M27C512NE200.pdf | |
![]() | 698-3-R4.7KD | 698-3-R4.7KD DIP BI | 698-3-R4.7KD.pdf | |
![]() | AOBPY | AOBPY N/A QFN | AOBPY.pdf | |
![]() | 2SC2120-Y/TE2.F | 2SC2120-Y/TE2.F TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC2120-Y/TE2.F.pdf | |
![]() | NLV74HC373ANG | NLV74HC373ANG ONSemiconductor SMD or Through Hole | NLV74HC373ANG.pdf |