창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB60R330P6ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R330P6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ P6 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 330m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 370µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1010pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 93W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP001364470 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB60R330P6ATMA1 | |
관련 링크 | IPB60R330, IPB60R330P6ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CB3LV-3I-150M0000 | 150MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 60mA Enable/Disable | CB3LV-3I-150M0000.pdf | |
![]() | 1PMT5954E3/TR7 | DIODE ZENER 160V 3W DO216AA | 1PMT5954E3/TR7.pdf | |
![]() | IPD50N06S4L12ATMA2 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | IPD50N06S4L12ATMA2.pdf | |
![]() | DKIP-0233-5002 | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 50A DCR 5 mOhm | DKIP-0233-5002.pdf | |
![]() | RNCF1206DTE3K09 | RES SMD 3.09K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RNCF1206DTE3K09.pdf | |
![]() | HHV-50JR-52-200K | RES 200K OHM 1/2W 5% AXIAL | HHV-50JR-52-200K.pdf | |
![]() | Z1013A | Z1013A AOS SOP8 | Z1013A.pdf | |
![]() | 44101R | 44101R Echelon SMD or Through Hole | 44101R.pdf | |
![]() | RKN /2P/C10A | RKN /2P/C10A LS SMD or Through Hole | RKN /2P/C10A.pdf | |
![]() | IB2409D-1W | IB2409D-1W MORNSUN DIP | IB2409D-1W.pdf | |
![]() | PSQ02BK5-B | PSQ02BK5-B SAURO/USA SMD or Through Hole | PSQ02BK5-B.pdf | |
![]() | 2CC1A | 2CC1A CHINA SMD or Through Hole | 2CC1A.pdf |