창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB60R280C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R280C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 6.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 430µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB60R280C6-ND IPB60R280C6ATMA1 IPB60R280C6TR SP000687550 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB60R280C6 | |
| 관련 링크 | IPB60R, IPB60R280C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CMF55825K00FKBF | RES 825K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55825K00FKBF.pdf | |
![]() | MC5835 | MC5835 MOT SOP8 | MC5835.pdf | |
![]() | 38.2310MHZ SG-645PCP | 38.2310MHZ SG-645PCP EPSON SG-645PCP | 38.2310MHZ SG-645PCP.pdf | |
![]() | RN50C1003F | RN50C1003F VISHAY/DALE SMD or Through Hole | RN50C1003F.pdf | |
![]() | AA003025-G | AA003025-G NAVMAN SMD or Through Hole | AA003025-G.pdf | |
![]() | LTA007NDR2G | LTA007NDR2G ON SOP16 | LTA007NDR2G.pdf | |
![]() | TMK316BJ684ML-T | TMK316BJ684ML-T TAIYO SMD or Through Hole | TMK316BJ684ML-T.pdf | |
![]() | C1608COG1H223JT | C1608COG1H223JT TDK SMD | C1608COG1H223JT.pdf | |
![]() | UCC5519PWPG4 | UCC5519PWPG4 TI-BB TSSOP28 | UCC5519PWPG4.pdf | |
![]() | RS1J-F | RS1J-F Lite-On SMD or Through Hole | RS1J-F.pdf | |
![]() | 85770 | 85770 PHI SMD or Through Hole | 85770.pdf | |
![]() | LC863440W-5Z94-TLM | LC863440W-5Z94-TLM SANYO SOP36 | LC863440W-5Z94-TLM.pdf |