창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB60R190P6ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R190P6 | |
| 주요제품 | Solutions for 3D Printers Automatic Opening Systems | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ P6 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 7.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 630µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1750pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 151W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB60R190P6ATMA1TR SP001364462 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB60R190P6ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB60R190, IPB60R190P6ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RW3R0DB100RJT | RES SMD 100 OHM 5% 3W J LEAD | RW3R0DB100RJT.pdf | |
![]() | CRA06P0432K40JTA | RES ARRAY 2 RES 2.4K OHM 0606 | CRA06P0432K40JTA.pdf | |
![]() | CD31,CD32,CD42,CD43,CD52,CD53,CD54,CD73,CD | CD31,CD32,CD42,CD43,CD52,CD53,CD54,CD73,CD JCY SMD or Through Hole | CD31,CD32,CD42,CD43,CD52,CD53,CD54,CD73,CD.pdf | |
![]() | MCF51EM256CLK | MCF51EM256CLK FRE Call | MCF51EM256CLK.pdf | |
![]() | SG3524J/BJ | SG3524J/BJ SG DIP | SG3524J/BJ.pdf | |
![]() | SL008SA-WA | SL008SA-WA SOLIDLITE ROHS | SL008SA-WA.pdf | |
![]() | ST BZX55C4V7 | ST BZX55C4V7 NXP SOT-23 | ST BZX55C4V7.pdf | |
![]() | 2N5089L T/B | 2N5089L T/B UTC TO92 | 2N5089L T/B.pdf | |
![]() | HI5701K-5 | HI5701K-5 HAR SOP18 | HI5701K-5.pdf | |
![]() | L1A9094 | L1A9094 LSI QFP | L1A9094.pdf | |
![]() | S-626HN | S-626HN TI DIP40 | S-626HN.pdf | |
![]() | CAT28C64BWI-12T | CAT28C64BWI-12T CATALYST 28-SOIC | CAT28C64BWI-12T.pdf |