창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB50R299CPATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB50R299CP | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 550V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 299m옴 @ 6.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 440µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB50R299CP IPB50R299CP-ND SP000236094 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB50R299CPATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB50R299, IPB50R299CPATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | BFC236727104 | 0.1µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | BFC236727104.pdf | |
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![]() | NFM3212R13C221R | NFM3212R13C221R MURATA SMD | NFM3212R13C221R.pdf | |
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![]() | VPR2210R250.5% | VPR2210R250.5% SHARP SMD or Through Hole | VPR2210R250.5%.pdf | |
![]() | MB89123A-248 | MB89123A-248 FUST QFP | MB89123A-248.pdf | |
![]() | JCIA-TI | JCIA-TI TAIYO SMD or Through Hole | JCIA-TI.pdf | |
![]() | BC5380KPB | BC5380KPB BROADCOM BGA | BC5380KPB.pdf | |
![]() | MMP3441 | MMP3441 M-MOS SOT-163 | MMP3441.pdf | |
![]() | RN1418 | RN1418 TOSHIBA SOT-23 | RN1418.pdf | |
![]() | AY38500 | AY38500 GI SMD or Through Hole | AY38500.pdf | |
![]() | IS42S16100C1-7TLI/ | IS42S16100C1-7TLI/ ISSI TSOP | IS42S16100C1-7TLI/.pdf |