창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB320N20N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx320N20N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32m옴 @ 34A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 90µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2350pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB320N20N3 G-ND IPB320N20N3 GTR IPB320N20N3G IPB320N20N3GATMA1 SP000691172 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB320N20N3 G | |
| 관련 링크 | IPB320N, IPB320N20N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | T550B227M008AH | 220µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 8V Axial 0.281" Dia x 0.641" L (7.14mm x 16.28mm) | T550B227M008AH.pdf | |
![]() | PHP00805E4121BST1 | RES SMD 4.12K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E4121BST1.pdf | |
![]() | WW12JTR750 | RES 0.75 OHM 0.4W 5% AXIAL | WW12JTR750.pdf | |
![]() | EQ82C6638AT97/CD | EQ82C6638AT97/CD ETEQ BGA | EQ82C6638AT97/CD.pdf | |
![]() | 250AXW270M18X40 | 250AXW270M18X40 RUBYCON DIP | 250AXW270M18X40.pdf | |
![]() | MC100LT25D | MC100LT25D MOT SOP | MC100LT25D.pdf | |
![]() | LM1117MP-1.8 (N12A) | LM1117MP-1.8 (N12A) NS SOT-223 | LM1117MP-1.8 (N12A).pdf | |
![]() | PHE840MB5680MR032 | PHE840MB5680MR032 EVOX RIFA SMD or Through Hole | PHE840MB5680MR032.pdf | |
![]() | 63MS74.7M6.3X7 | 63MS74.7M6.3X7 RUBYCON DIP | 63MS74.7M6.3X7.pdf | |
![]() | P74FCT521AP | P74FCT521AP N/A DIP | P74FCT521AP.pdf | |
![]() | KI7805 | KI7805 KI SMD or Through Hole | KI7805.pdf |