창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB180N04S3-02 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB180N04S3-02 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 230µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 210nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IPB180N04S3-02CT IPB180N04S3-02CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB180N04S3-02 | |
관련 링크 | IPB180N0, IPB180N04S3-02 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
BMVK6R3ADA220ME60G | 22µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | BMVK6R3ADA220ME60G.pdf | ||
2510-16G | 470nH Unshielded Inductor 405mA 630 mOhm Max 2-SMD | 2510-16G.pdf | ||
HDAC7542 | HDAC7542 AD DIP16 | HDAC7542.pdf | ||
OP27U | OP27U BB SOP-8 | OP27U.pdf | ||
0543931797+ | 0543931797+ MOIEX SMD or Through Hole | 0543931797+.pdf | ||
CR123A(6205 101 501) | CR123A(6205 101 501) PoweroneVARTA DIP | CR123A(6205 101 501).pdf | ||
22264 405 | 22264 405 SANWA SSOP | 22264 405.pdf | ||
ISL9N302AS3 | ISL9N302AS3 FSC ORIGINAL | ISL9N302AS3.pdf | ||
VS-751-LFF-HNN-P2-P4 | VS-751-LFF-HNN-P2-P4 TEXAS SMD or Through Hole | VS-751-LFF-HNN-P2-P4.pdf | ||
CY62128-55SI | CY62128-55SI CYPRESS SOP | CY62128-55SI.pdf | ||
UCC2808APW-2G4 | UCC2808APW-2G4 TEXAS TSSOP-8 | UCC2808APW-2G4.pdf | ||
5070 33.333MHZ | 5070 33.333MHZ VCC SMD or Through Hole | 5070 33.333MHZ.pdf |