창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB180N03S4L01ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB180N03S4L-01 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.05m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 140µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 239nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 17600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 188W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB180N03S4L-01 IPB180N03S4L-01-ND SP000555002 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB180N03S4L01ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB180N03S4, IPB180N03S4L01ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | NX5032GA-13.56M-STD-CSK-4 | 13.56MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | NX5032GA-13.56M-STD-CSK-4.pdf | |
![]() | IHLP2020BZER6R8M11 | 6.8µH Shielded Molded Inductor 2.8A 121 mOhm Max Nonstandard | IHLP2020BZER6R8M11.pdf | |
![]() | TNPW121012K0BEEA | RES SMD 12K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW121012K0BEEA.pdf | |
![]() | HM1-034 | HM1-034 HAR CDIP | HM1-034.pdf | |
![]() | 534-1-503 | 534-1-503 SPECTROL SMD or Through Hole | 534-1-503.pdf | |
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![]() | MAX3386EEAP | MAX3386EEAP MAXIM SOP | MAX3386EEAP.pdf | |
![]() | MAX6306EUK30D3-T | MAX6306EUK30D3-T MAXIM sot23-5 | MAX6306EUK30D3-T.pdf | |
![]() | OG-363050G | OG-363050G JAT SMD or Through Hole | OG-363050G.pdf | |
![]() | RN4902 / VB | RN4902 / VB TOSHIBA SOT-363 | RN4902 / VB.pdf | |
![]() | AL251A(AL-251A-T-O) | AL251A(AL-251A-T-O) AVERLOGIC QFP | AL251A(AL-251A-T-O).pdf | |
![]() | MM26B | MM26B MITSUMI SOP8 | MM26B.pdf |