창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB120N06S403ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx120N06S4-03 | |
PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 120µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13150pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 167W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB120N06S4-03 IPB120N06S4-03-ND SP000415558 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB120N06S403ATMA1 | |
관련 링크 | IPB120N06S, IPB120N06S403ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | F951A226MBAAQ2 | F951A226MBAAQ2 nichicon NA | F951A226MBAAQ2.pdf | |
![]() | GS1010HET/R | GS1010HET/R PANJIT SOD-123HE | GS1010HET/R.pdf | |
![]() | MB8404 | MB8404 FUJ DIP-16 | MB8404.pdf | |
![]() | T520A336M006ADISC | T520A336M006ADISC KEMET SMD | T520A336M006ADISC.pdf | |
![]() | 1840164-1 | 1840164-1 Tyco/AMP NA | 1840164-1.pdf | |
![]() | MMB351W | MMB351W DC/ SMD or Through Hole | MMB351W.pdf | |
![]() | MTZ33A | MTZ33A ORIGINAL SMD or Through Hole | MTZ33A.pdf | |
![]() | NP1J157M12020 | NP1J157M12020 SAMWH DIP | NP1J157M12020.pdf | |
![]() | N520CH14 | N520CH14 WESTCODE SMD or Through Hole | N520CH14.pdf | |
![]() | HI5628/6N | HI5628/6N PHILIPS TQFP48 | HI5628/6N.pdf |