창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB120N06S402ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx120N06S4-02 | |
PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 140µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 195nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15750pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB120N06S4-02 IPB120N06S4-02-ND SP000415560 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB120N06S402ATMA1 | |
관련 링크 | IPB120N06S, IPB120N06S402ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
FCN2416H154J | 0.15µF Film Capacitor 40V 50V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 2416 (6041 Metric) 0.236" L x 0.161" W (6.00mm x 4.10mm) | FCN2416H154J.pdf | ||
3SBCC-R/Y-F | Red, Yellow LED Indication - Discrete 1.7V Red, 2V Yellow Radial | 3SBCC-R/Y-F.pdf | ||
RG1608V-1620-W-T5 | RES SMD 162 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608V-1620-W-T5.pdf | ||
EX-Z11B-PR | SENSOR THRUBM 50MM DK ON PNP OUT | EX-Z11B-PR.pdf | ||
ES1938F | ES1938F ESS QFP | ES1938F.pdf | ||
74lv273d.112 | 74lv273d.112 nxp SMD or Through Hole | 74lv273d.112.pdf | ||
HM4E-65764M-5 | HM4E-65764M-5 MHS LCC | HM4E-65764M-5.pdf | ||
SSC8035GSB | SSC8035GSB ORIGINAL SMD or Through Hole | SSC8035GSB.pdf | ||
FCM1608H-680 | FCM1608H-680 BULLWILL 0603ChipBead68Ohm | FCM1608H-680.pdf | ||
AS1506-10-BTDT | AS1506-10-BTDT AMS/TDFN SMD or Through Hole | AS1506-10-BTDT.pdf | ||
TDABS | TDABS ORIGINAL SMD or Through Hole | TDABS.pdf |