창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB100N10S305ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx100N10S3-05 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 240µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 176nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11570pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB100N10S3-05 IPB100N10S3-05-ND IPB100N10S3-05TR IPB100N10S3-05TR-ND IPB100N10S305 SP000261243 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB100N10S305ATMA1 | |
관련 링크 | IPB100N10S, IPB100N10S305ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
USR1C220MDD1TP | 22µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | USR1C220MDD1TP.pdf | ||
P6SMB62A-E3/52 | TVS DIODE 53VWM 85VC SMB | P6SMB62A-E3/52.pdf | ||
MA4PBL027 | SILICON PIN BEAM LEAD #27UM | MA4PBL027.pdf | ||
MCT6W | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 2 Channel 8-DIP | MCT6W.pdf | ||
ASSR-401C-503E | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 4-SOP (0.173", 4.40mm) | ASSR-401C-503E.pdf | ||
RG3216N-4873-W-T1 | RES SMD 487K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-4873-W-T1.pdf | ||
XR2014CP | XR2014CP EXR DIP16 | XR2014CP.pdf | ||
BAS40-04 / 44 | BAS40-04 / 44 Infineon SOT-23 | BAS40-04 / 44.pdf | ||
68HC705C8P | 68HC705C8P MOT DIP | 68HC705C8P.pdf | ||
C1005C0G1H390JT000F | C1005C0G1H390JT000F TDK SMD or Through Hole | C1005C0G1H390JT000F.pdf | ||
SHH-1M4532-121JT | SHH-1M4532-121JT SUMIDA SMD-2 | SHH-1M4532-121JT.pdf | ||
CXT972ALC | CXT972ALC ORIGINAL SOPDIP | CXT972ALC.pdf |