창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB065N15N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB065N15N3 G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7300pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB065N15N3 G-ND IPB065N15N3G IPB065N15N3GATMA1 SP000521724 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB065N15N3 G | |
관련 링크 | IPB065N, IPB065N15N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D151JLAAJ | 150pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D151JLAAJ.pdf | |
![]() | NJM2593V-TE1 | RF IC 20-SSOP | NJM2593V-TE1.pdf | |
![]() | BAR14-1 E6327 | BAR14-1 E6327 Infineon SOT-23 | BAR14-1 E6327.pdf | |
![]() | SRG25VB472M18X25LL | SRG25VB472M18X25LL ORIGINAL DIP-2 | SRG25VB472M18X25LL.pdf | |
![]() | SP3222EUEA-L | SP3222EUEA-L SIPEX SSOP20 | SP3222EUEA-L.pdf | |
![]() | LP2950CDT3.3RKG | LP2950CDT3.3RKG ONS SMD or Through Hole | LP2950CDT3.3RKG.pdf | |
![]() | LM201DG | LM201DG ON SOP-8 | LM201DG.pdf | |
![]() | DS-1130 | DS-1130 cx SMD or Through Hole | DS-1130.pdf | |
![]() | FCH20U10,FCH20U15 | FCH20U10,FCH20U15 NIEC SMD or Through Hole | FCH20U10,FCH20U15.pdf | |
![]() | de150-201 | de150-201 ORIGINAL SMD or Through Hole | de150-201.pdf | |
![]() | 1826-1361 | 1826-1361 ORIGINAL DIP16 | 1826-1361.pdf | |
![]() | RCT25VF032B-80-4I-S2AF | RCT25VF032B-80-4I-S2AF REALTEK NA | RCT25VF032B-80-4I-S2AF.pdf |