창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB065N15N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB065N15N3 G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7300pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB065N15N3 G-ND IPB065N15N3G IPB065N15N3GATMA1 SP000521724 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB065N15N3 G | |
관련 링크 | IPB065N, IPB065N15N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | TLH10UA4321R0 | 4.3mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1A DCR 398 mOhm | TLH10UA4321R0.pdf | |
![]() | CRCW12102K00JNTA | RES SMD 2K OHM 5% 1/2W 1210 | CRCW12102K00JNTA.pdf | |
![]() | ACPP0805 10K B | RES SMD 10K OHM 0.1% 1/10W 0805 | ACPP0805 10K B.pdf | |
![]() | CRCW06031K91DKEAP | RES SMD 1.91KOHM 0.5% 1/10W 0603 | CRCW06031K91DKEAP.pdf | |
![]() | 361R330M450FQ2 | 361R330M450FQ2 CDE DIP | 361R330M450FQ2.pdf | |
![]() | SPD21N05L | SPD21N05L INFINEON TO-252 | SPD21N05L.pdf | |
![]() | X0371GE | X0371GE SHARP DIP16 | X0371GE.pdf | |
![]() | GTS430D2 | GTS430D2 INFINEON TO263-5 | GTS430D2.pdf | |
![]() | B65611D0250A048 | B65611D0250A048 EPCOS SMD or Through Hole | B65611D0250A048.pdf | |
![]() | XP151A12A0MR | XP151A12A0MR TOREX SOT23 | XP151A12A0MR.pdf | |
![]() | GL-4002-5M- WP | GL-4002-5M- WP ORIGINAL SMD or Through Hole | GL-4002-5M- WP.pdf | |
![]() | PJ7350 | PJ7350 IA SOT89TO92 | PJ7350.pdf |