창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB054N08N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx054,57N08N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.4m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB054N08N3 G-ND IPB054N08N3G IPB054N08N3GATMA1 SP000395166 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB054N08N3 G | |
관련 링크 | IPB054N, IPB054N08N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | TCFGA1D105M8R | 1µF Molded Tantalum Capacitors 20V 1206 (3216 Metric) 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TCFGA1D105M8R.pdf | |
![]() | SCRH104-1R5 | 1.5µH Shielded Inductor 5.8A 17 mOhm Max Nonstandard | SCRH104-1R5.pdf | |
![]() | SM6227FT29R4 | RES SMD 29.4 OHM 1% 3W 6227 | SM6227FT29R4.pdf | |
![]() | C1422KJL | RES 22.0K OHM 14W 5% AXIAL | C1422KJL.pdf | |
![]() | CMP402GSZ-REEL | CMP402GSZ-REEL ADI SMD or Through Hole | CMP402GSZ-REEL.pdf | |
![]() | 103AT-2-FT | 103AT-2-FT SEMITEC SMD or Through Hole | 103AT-2-FT.pdf | |
![]() | UDN3953SLB | UDN3953SLB ALLEGRO SO16 | UDN3953SLB.pdf | |
![]() | S1815LT1 | S1815LT1 ORIGINAL SOT-23 | S1815LT1.pdf | |
![]() | GRM39COG100C50 | GRM39COG100C50 ORIGINAL SMD or Through Hole | GRM39COG100C50.pdf | |
![]() | M62535FP | M62535FP MITSUBIS SOP | M62535FP.pdf | |
![]() | DSS9ND31H223Q93J | DSS9ND31H223Q93J MURATA SMD or Through Hole | DSS9ND31H223Q93J.pdf | |
![]() | ERJ8RQF1R0V | ERJ8RQF1R0V Panasonic SMD | ERJ8RQF1R0V.pdf |