창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB042N03L G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IP(B,P)042N03L G | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB042N03LG IPB042N03LGATMA1 IPB042N03LGINTR IPB042N03LGXT SP000304124 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB042N03L G | |
관련 링크 | IPB042N, IPB042N03L G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MKP1841239136 | 3900pF Film Capacitor 650V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP1841239136.pdf | |
![]() | PS8501L3-E3-AX | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 8-SMD | PS8501L3-E3-AX.pdf | |
![]() | MMBV432 TEL:82766440 | MMBV432 TEL:82766440 ON SMD or Through Hole | MMBV432 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 4481262 | 4481262 PHI DIP14 | 4481262.pdf | |
![]() | 09FLZ-SM2-TB | 09FLZ-SM2-TB JST 9p0.5 | 09FLZ-SM2-TB.pdf | |
![]() | VUO110-18N07 | VUO110-18N07 IXYS SMD or Through Hole | VUO110-18N07.pdf | |
![]() | 2SD1511URL | 2SD1511URL PANASONIC SMD or Through Hole | 2SD1511URL.pdf | |
![]() | LFB30N13B0370B012AF | LFB30N13B0370B012AF muRata LFB30N13B0370B012AF | LFB30N13B0370B012AF.pdf | |
![]() | UDN3614 | UDN3614 UDN DIP-8 | UDN3614.pdf | |
![]() | LM660CN | LM660CN NSC SMD or Through Hole | LM660CN.pdf | |
![]() | 592D-33-10 | 592D-33-10 SPRAGUE SMD or Through Hole | 592D-33-10.pdf |