창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB042N03L G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IP(B,P)042N03L G | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB042N03LG IPB042N03LGATMA1 IPB042N03LGINTR IPB042N03LGXT SP000304124 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB042N03L G | |
관련 링크 | IPB042N, IPB042N03L G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | UKW1J220MDD | 22µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UKW1J220MDD.pdf | |
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![]() | EL57 | EL57 ORIGINAL SOP16 | EL57.pdf | |
![]() | R1206TJ6R2 | R1206TJ6R2 ORIGINAL RALEC | R1206TJ6R2.pdf | |
![]() | GT40T301(Q) | GT40T301(Q) TOSHIBA SMD or Through Hole | GT40T301(Q).pdf | |
![]() | NL252018T-R33J-PFV | NL252018T-R33J-PFV TDK 2520 | NL252018T-R33J-PFV.pdf | |
![]() | MPP 473/1000 P20 | MPP 473/1000 P20 HBCKAY SMD or Through Hole | MPP 473/1000 P20.pdf | |
![]() | MSM79V001 | MSM79V001 OKI QFP 100 | MSM79V001.pdf | |
![]() | VA-A3216-3R5JJT | VA-A3216-3R5JJT CTC SMD or Through Hole | VA-A3216-3R5JJT.pdf |