창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB024N08N5ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB024N08N5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 154µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 123nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8970pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP001227044 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB024N08N5ATMA1 | |
관련 링크 | IPB024N08, IPB024N08N5ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CGA8N2X7R2A684K230KA | 0.68µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | CGA8N2X7R2A684K230KA.pdf | ||
TZM5234B-GS18 | DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD80 | TZM5234B-GS18.pdf | ||
AUIRFR4615TRL | MOSFET N-CH 150V 33A DPAK | AUIRFR4615TRL.pdf | ||
36401E6N8BTD | 6.8nH Unshielded Thin Film Inductor 260mA 1.05 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | 36401E6N8BTD.pdf | ||
NKN200JR-73-2R7 | RES 2.7 OHM 2W 5% AXIAL | NKN200JR-73-2R7.pdf | ||
AME1085DCDTZ | AME1085DCDTZ AME TO-263 | AME1085DCDTZ.pdf | ||
LA1137NM-TLM-E | LA1137NM-TLM-E SANYO SOP20 | LA1137NM-TLM-E.pdf | ||
T3V3LCS3 | T3V3LCS3 DIODES SOT-323 | T3V3LCS3.pdf | ||
ATMEGA2560-AU | ATMEGA2560-AU ATMEL SMD or Through Hole | ATMEGA2560-AU.pdf | ||
STK5211 | STK5211 SANYO SMD or Through Hole | STK5211.pdf | ||
2SC5576 | 2SC5576 ORIGINAL TO-220 | 2SC5576.pdf |