창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB009N03L G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB009N03L G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.95m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 227nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 25000pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB009N03L G-ND IPB009N03L GTR IPB009N03LG IPB009N03LGATMA1 SP000394657 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB009N03L G | |
관련 링크 | IPB009N, IPB009N03L G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ELXM421VSN820MP30S | 82µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 7000 Hrs @ 105°C | ELXM421VSN820MP30S.pdf | ||
T322B685K010AS | 6.8µF Molded Tantalum Capacitors 10V Axial 6 Ohm 0.110" Dia x 0.290" L (2.79mm x 7.37mm) | T322B685K010AS.pdf | ||
315LB3C1555T | 155.52MHz HCMOS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 30mA Enable/Disable | 315LB3C1555T.pdf | ||
APTGT75DA120TG | IGBT 1200V 110A 357W SP4 | APTGT75DA120TG.pdf | ||
PM74SH-391M-RC | 390µH Shielded Wirewound Inductor 350mA 1.2 Ohm Max Nonstandard | PM74SH-391M-RC.pdf | ||
FRN50J27R/S | RES 27.0 OHM 1/2W 5% AXIAL | FRN50J27R/S.pdf | ||
CMF55142K00BEEA70 | RES 142K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55142K00BEEA70.pdf | ||
LC0611-100-25-MR | LC0611-100-25-MR RIC SMD or Through Hole | LC0611-100-25-MR.pdf | ||
54F321 | 54F321 TI DIP | 54F321.pdf | ||
MB62150M | MB62150M ORIGINAL DIP | MB62150M.pdf | ||
OP0A602AM | OP0A602AM BB TO99 | OP0A602AM.pdf | ||
SZSMF28AT3G | SZSMF28AT3G ON SOD123 | SZSMF28AT3G.pdf |