창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPAW60R190CEXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPAW60R190CE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 34W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 450 | |
다른 이름 | SP001391612 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPAW60R190CEXKSA1 | |
관련 링크 | IPAW60R190, IPAW60R190CEXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | WKP102MCPTH0KR | 1000pF 760VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | WKP102MCPTH0KR.pdf | |
![]() | RPE5C1H101J2P1A03B | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RPE5C1H101J2P1A03B.pdf | |
![]() | ERJ-1TYJ161U | RES SMD 160 OHM 5% 1W 2512 | ERJ-1TYJ161U.pdf | |
![]() | MAX6854UK31D3+T | MAX6854UK31D3+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX6854UK31D3+T.pdf | |
![]() | L1A2842 | L1A2842 N/A NA | L1A2842.pdf | |
![]() | UCN5810LWF | UCN5810LWF N/old TSSOP28 | UCN5810LWF.pdf | |
![]() | BT138/600 | BT138/600 NXP SMD or Through Hole | BT138/600.pdf | |
![]() | X5165S8IZ-2.7T1 | X5165S8IZ-2.7T1 intersil SMD or Through Hole | X5165S8IZ-2.7T1.pdf | |
![]() | SAF1194-280 | SAF1194-280 ITT DIP-40 | SAF1194-280.pdf | |
![]() | K6T0808C1D-DL70000 | K6T0808C1D-DL70000 Samsung SMD or Through Hole | K6T0808C1D-DL70000.pdf | |
![]() | TK11823-AOF | TK11823-AOF TOKO SMD or Through Hole | TK11823-AOF.pdf | |
![]() | ZN | ZN N/A SOT23-3 | ZN.pdf |