창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA90R800C3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA90R800C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 4.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 460µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 33W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA90R800C3XKSA1 SP000413718 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA90R800C3 | |
관련 링크 | IPA90R, IPA90R800C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 501X44W153MF4E | 0.015µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1410(3524 미터법) 0.140" L x 0.098" W(3.56mm x 2.49mm) | 501X44W153MF4E.pdf | |
![]() | SR1206KR-7W360RL | RES SMD 360 OHM 10% 1/2W 1206 | SR1206KR-7W360RL.pdf | |
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![]() | CRCW06038K87FKEAHP | RES SMD 8.87K OHM 1% 1/4W 0603 | CRCW06038K87FKEAHP.pdf | |
![]() | TEA1206 | TEA1206 PHI SMD or Through Hole | TEA1206.pdf | |
![]() | BA7810AFS | BA7810AFS ROH SMD or Through Hole | BA7810AFS.pdf | |
![]() | EPM5016LC17 | EPM5016LC17 ALTER ICPLCC20TUBE | EPM5016LC17.pdf | |
![]() | EM-B6018 | EM-B6018 ORIGINAL SMD or Through Hole | EM-B6018.pdf | |
![]() | R5421N152FTR | R5421N152FTR RICOH SOT23-5 | R5421N152FTR.pdf | |
![]() | RC2010JK-0710K | RC2010JK-0710K YAGEO SMD or Through Hole | RC2010JK-0710K.pdf | |
![]() | LXZ10WV1200 | LXZ10WV1200 SAM SMD or Through Hole | LXZ10WV1200.pdf |