창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA80R1K4CEXKSA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA80R1K4CE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 2.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 240µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 31W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001313390 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA80R1K4CEXKSA2 | |
관련 링크 | IPA80R1K4, IPA80R1K4CEXKSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 416F48013ATT | 48MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48013ATT.pdf | |
![]() | RSF2JB33R0 | RES MO 2W 33 OHM 5% AXIAL | RSF2JB33R0.pdf | |
![]() | P0159HV | P0159HV FOXBORO CDIP20 | P0159HV.pdf | |
![]() | ISL8505IRZ | ISL8505IRZ INTERSIL QFN-24 | ISL8505IRZ.pdf | |
![]() | ICS83948AYI01 | ICS83948AYI01 ICS QFP | ICS83948AYI01.pdf | |
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![]() | PI3USB10ZEE/PI3USB | PI3USB10ZEE/PI3USB PERICOM SMD or Through Hole | PI3USB10ZEE/PI3USB.pdf | |
![]() | UPD75304GF 397 | UPD75304GF 397 NEC QFP | UPD75304GF 397.pdf | |
![]() | NRSZ821M25V12.5X20F | NRSZ821M25V12.5X20F NIC DIP | NRSZ821M25V12.5X20F.pdf | |
![]() | DS2712K | DS2712K DALLAS SMD or Through Hole | DS2712K.pdf |