창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA65R065C7XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPA65R065C7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ C7 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 17.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 850µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3020pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 34W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001080114 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA65R065C7XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPA65R065, IPA65R065C7XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RG3216P-7683-B-T1 | RES SMD 768K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-7683-B-T1.pdf | |
![]() | RG3216N-2552-D-T5 | RES SMD 25.5K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-2552-D-T5.pdf | |
![]() | RG1005N-9090-D-T10 | RES SMD 909 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005N-9090-D-T10.pdf | |
![]() | AT25160N-10SI-27 | AT25160N-10SI-27 ATMEL SOP-8 | AT25160N-10SI-27.pdf | |
![]() | 2SA1162(T5L | 2SA1162(T5L Toshiba SC59REEL | 2SA1162(T5L.pdf | |
![]() | 5039-3 | 5039-3 N/A DIP20 | 5039-3.pdf | |
![]() | NDF0610 | NDF0610 FSC TO-92 | NDF0610.pdf | |
![]() | XCV400EBG432AFS-7C | XCV400EBG432AFS-7C XILINX BGA | XCV400EBG432AFS-7C.pdf | |
![]() | MOTS9S12DT12F1MPVE | MOTS9S12DT12F1MPVE ORIGINAL SMD or Through Hole | MOTS9S12DT12F1MPVE.pdf | |
![]() | HCGF6A2G103YE | HCGF6A2G103YE HITACHI DIP | HCGF6A2G103YE.pdf | |
![]() | HM16-12R22K | HM16-12R22K YAGEO 2000 | HM16-12R22K.pdf | |
![]() | FH5118-BN-UE | FH5118-BN-UE FENGHUA SOT23-3 | FH5118-BN-UE.pdf |