창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA60R1K5CEXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA60R1K5CE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 1.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 20W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001429420 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA60R1K5CEXKSA1 | |
관련 링크 | IPA60R1K5, IPA60R1K5CEXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D1R3CXCAP | 1.3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R3CXCAP.pdf | |
![]() | SRR1260A-220M | 22µH Shielded Inductor 4A 43 mOhm Max Nonstandard | SRR1260A-220M.pdf | |
![]() | 3100SU00001 | 3100SU00001 N/A SMD or Through Hole | 3100SU00001.pdf | |
![]() | A0X | A0X AD SOT23-5 | A0X.pdf | |
![]() | PVT322S-T | PVT322S-T IR SMD or Through Hole | PVT322S-T.pdf | |
![]() | 267E1002106MN847 | 267E1002106MN847 MATS SMD or Through Hole | 267E1002106MN847.pdf | |
![]() | HVK83TR | HVK83TR HITACHI LL34 | HVK83TR.pdf | |
![]() | CN2A8TE121J | CN2A8TE121J KOA SMD | CN2A8TE121J.pdf | |
![]() | TGU19680 | TGU19680 TeraLOgic N A | TGU19680.pdf | |
![]() | MB8843-1484M | MB8843-1484M FUJITSU DIP-42 | MB8843-1484M.pdf | |
![]() | IRFY9130CSCV | IRFY9130CSCV InternationalRectifier SMD or Through Hole | IRFY9130CSCV.pdf | |
![]() | 50ME47LS | 50ME47LS SANYO DIP | 50ME47LS.pdf |