창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA105N15N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA105N15N3 G | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 37A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 160µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4300pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 40.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA105N15N3G IPA105N15N3GXKSA1 SP000677850 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA105N15N3 G | |
관련 링크 | IPA105N, IPA105N15N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | EKMH161VQT472MB63T | 4700µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 5 Lead 53 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | EKMH161VQT472MB63T.pdf | |
![]() | S0402-33NG1B | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 370 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-33NG1B.pdf | |
![]() | E3Z-D62-G0THW-M1 | SENSOR PHOTOELECTRIC 1M M12 | E3Z-D62-G0THW-M1.pdf | |
![]() | MS46SR-14-435-Q2-10X-10R-NC-AN | SYSTEM | MS46SR-14-435-Q2-10X-10R-NC-AN.pdf | |
![]() | 7920ES-R | 7920ES-R SEC SOP8 | 7920ES-R.pdf | |
![]() | DC35VP11CT800R08B4 | DC35VP11CT800R08B4 SOC 1206 | DC35VP11CT800R08B4.pdf | |
![]() | 2SC023M-15 | 2SC023M-15 FUJITSU TO-3P | 2SC023M-15.pdf | |
![]() | AT32UC3A1128 | AT32UC3A1128 ATMEL SMD or Through Hole | AT32UC3A1128.pdf | |
![]() | 086210015010800+ | 086210015010800+ kyocera SMD or Through Hole | 086210015010800+.pdf | |
![]() | xc4010e-5pq208 | xc4010e-5pq208 XILINX qfp | xc4010e-5pq208.pdf | |
![]() | MMBT3906R NOPB | MMBT3906R NOPB DIODES SOT23 | MMBT3906R NOPB.pdf |