창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA105N15N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA105N15N3 G | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 37A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 160µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4300pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 40.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA105N15N3G IPA105N15N3GXKSA1 SP000677850 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA105N15N3 G | |
관련 링크 | IPA105N, IPA105N15N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | S499D25C0HR63V7R | 4.9pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0H 방사형, 디스크 | S499D25C0HR63V7R.pdf | |
![]() | CRGV2512F3M32 | RES SMD 3.32M OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F3M32.pdf | |
![]() | CMF55866K00FEEB | RES 866K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55866K00FEEB.pdf | |
![]() | 1206-1.5K | 1206-1.5K ASJ SMD or Through Hole | 1206-1.5K.pdf | |
![]() | TLV431BIDCKR(YFU) | TLV431BIDCKR(YFU) BB/TI SC70-6 | TLV431BIDCKR(YFU).pdf | |
![]() | SBM37PT | SBM37PT CHENMKO SMD or Through Hole | SBM37PT.pdf | |
![]() | 8873CPBNG6RU4 | 8873CPBNG6RU4 HISENSE DIP-64 | 8873CPBNG6RU4.pdf | |
![]() | LM2575S-5.0 TO263 | LM2575S-5.0 TO263 NS TO220 | LM2575S-5.0 TO263.pdf | |
![]() | 500S40 | 500S40 CEHCO B-8 | 500S40.pdf | |
![]() | RS-35-24 | RS-35-24 MW SMD or Through Hole | RS-35-24.pdf | |
![]() | T322D476K010AS7200 | T322D476K010AS7200 KEMET SMD or Through Hole | T322D476K010AS7200.pdf | |
![]() | GBJ6J (GBJ6JU) | GBJ6J (GBJ6JU) KEC ROHS | GBJ6J (GBJ6JU).pdf |