창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA060N06NXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA060N06N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 45A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.3V @ 36µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 33W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001099646 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA060N06NXKSA1 | |
관련 링크 | IPA060N06, IPA060N06NXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 1N4003E-E3/54 | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL | 1N4003E-E3/54.pdf | |
![]() | RG3216P-6801-B-T5 | RES SMD 6.8K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-6801-B-T5.pdf | |
![]() | CRCW04021R10JNTD | RES SMD 1.1 OHM 5% 1/16W 0402 | CRCW04021R10JNTD.pdf | |
![]() | Y01061K00000S4L | RES 1K OHM 1.5W 0.001% AXIAL | Y01061K00000S4L.pdf | |
![]() | T831303AF | T831303AF ORIGINAL QFP | T831303AF.pdf | |
![]() | XCV400E-8FG676AFS | XCV400E-8FG676AFS XILINX Bag BGA | XCV400E-8FG676AFS.pdf | |
![]() | BZM55C11 | BZM55C11 Micro MICROMELF | BZM55C11.pdf | |
![]() | 4651547 | 4651547 PHI SOP-14 | 4651547.pdf | |
![]() | stm8000awd | stm8000awd ORIGINAL BGA | stm8000awd.pdf | |
![]() | 179120.1 | 179120.1 ELU SMD or Through Hole | 179120.1.pdf | |
![]() | FR01SC10P | FR01SC10P ORIGINAL SMD or Through Hole | FR01SC10P.pdf | |
![]() | LP8359MFX1.2 | LP8359MFX1.2 FAIRCHILD SMD or Through Hole | LP8359MFX1.2.pdf |