창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IMC1812ES821J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IMC1812 | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Vishay Dale | |
| 계열 | IMC-1812 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 권선 | |
| 소재 - 코어 | 페라이트 | |
| 유도 용량 | 820µH | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 정격 전류 | 30mA | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 35옴최대 | |
| Q @ 주파수 | 30 @ 790kHz | |
| 주파수 - 자기 공진 | 2.5MHz | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 주파수 - 테스트 | 790kHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 1812(4532 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.134"(3.40mm) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IMC1812ES821J | |
| 관련 링크 | IMC1812, IMC1812ES821J 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
|  | 2512R-333J | 33µH Unshielded Inductor 326mA 3.8 Ohm Max 2-SMD | 2512R-333J.pdf | |
|  | RNF14FTD576K | RES 576K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD576K.pdf | |
|  | CMF604K4200BHEB | RES 4.42K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF604K4200BHEB.pdf | |
|  | LT3574EMSE | LT3574EMSE LT MSOP | LT3574EMSE.pdf | |
|  | 1N5806JANTX | 1N5806JANTX MICROSEMI SMD or Through Hole | 1N5806JANTX.pdf | |
|  | NCP552SQ15T1G | NCP552SQ15T1G ON SC70-4 | NCP552SQ15T1G.pdf | |
|  | S6A0071A06-C0CX | S6A0071A06-C0CX SAMSUNG SMD or Through Hole | S6A0071A06-C0CX.pdf | |
|  | 74477810/LF | 74477810/LF N/A NA | 74477810/LF.pdf | |
|  | 2SD1616AG | 2SD1616AG UTC TO92 | 2SD1616AG.pdf | |
|  | KH-5V(TQ2) | KH-5V(TQ2) ORIGINAL SMD or Through Hole | KH-5V(TQ2).pdf | |
|  | AP1117D33G-13-86 | AP1117D33G-13-86 DIODES TO-252 | AP1117D33G-13-86.pdf | |
|  | MT45W512KW16BEGB-708 WT | MT45W512KW16BEGB-708 WT MICRON VFBGA | MT45W512KW16BEGB-708 WT.pdf |