창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IM04EB101J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IM Series | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Vishay Dale | |
| 계열 | IM | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 성형 | |
| 소재 - 코어 | 인두 | |
| 유도 용량 | 100µH | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 정격 전류 | 133mA | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 4.5옴최대 | |
| Q @ 주파수 | 50 @ 2.5MHz | |
| 주파수 - 자기 공진 | 9.5MHz | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
| 주파수 - 테스트 | 2.5MHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 축방향 | |
| 크기/치수 | 0.156" Dia x 0.375" L(3.96mm x 9.53mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 다른 이름 | 541-2611 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IM04EB101J | |
| 관련 링크 | IM04EB, IM04EB101J 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MA-406 16.0000M-AB3: ROHS | 16MHz ±50ppm 수정 30pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-406 16.0000M-AB3: ROHS.pdf | |
![]() | HRG3216Q-13R3-D-T1 | RES SMD 13.3 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216Q-13R3-D-T1.pdf | |
![]() | RB-053.3D/H | RB-053.3D/H RECOM DIPSIP | RB-053.3D/H.pdf | |
![]() | 65801002LF | 65801002LF FRAMATOME SMD or Through Hole | 65801002LF.pdf | |
![]() | CMP-603 | CMP-603 synergymwave SMD or Through Hole | CMP-603.pdf | |
![]() | UR7HCPX2-P440 | UR7HCPX2-P440 N/A QFP | UR7HCPX2-P440.pdf | |
![]() | 4069UBFNT | 4069UBFNT TOSHIBA SMD or Through Hole | 4069UBFNT.pdf | |
![]() | MB89855R-207 | MB89855R-207 FUJ DIP-64 | MB89855R-207.pdf | |
![]() | SD8502NFI | SD8502NFI HUAWEI BGA | SD8502NFI.pdf | |
![]() | RM4200ADE | RM4200ADE RAYTHEON CDIP8 | RM4200ADE.pdf | |
![]() | SLM-1251VW87 | SLM-1251VW87 ROHM SMD or Through Hole | SLM-1251VW87.pdf | |
![]() | MC75174BDN | MC75174BDN ORIGINAL SOP20 | MC75174BDN.pdf |