창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IHLP6767GZERR56M11 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IHLP-6767GZ-11 | |
| 제품 교육 모듈 | IHLP Inductor Series | |
| 비디오 파일 | IHLP® Power Inductor Saturation Current Performance Test | |
| 주요제품 | IHLP® Surface-Mount Power Inductors IHLP® Low-Profile, High-Current Inductors in 6767 Case | |
| PCN 설계/사양 | IHLP-6767GZ-1y 21/Oct/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | PCN-DI-192-2014 Rev 1 04/Mar/2014 IHLP 5050,6767 19/Sep/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Vishay Dale | |
| 계열 | IHLP-6767GZ-11 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 성형 | |
| 소재 - 코어 | - | |
| 유도 용량 | 560nH | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전류 | 61A | |
| 전류 - 포화 | 66A | |
| 차폐 | 차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 1.05m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | 40MHz | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 주파수 - 테스트 | 100kHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 비표준 | |
| 크기/치수 | 0.675" L x 0.675" W(17.15mm x 17.15mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.276"(7.00mm) | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 다른 이름 | 541-1276-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IHLP6767GZERR56M11 | |
| 관련 링크 | IHLP6767GZ, IHLP6767GZERR56M11 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | OEM (Samsung+SMI) | OEM (Samsung+SMI) OEM/Bulk 4GBTransFlashCar | OEM (Samsung+SMI).pdf | |
![]() | 400BXA6.8M10X16 | 400BXA6.8M10X16 RUB SMD or Through Hole | 400BXA6.8M10X16.pdf | |
![]() | X2V2000E-6FG680C | X2V2000E-6FG680C XILINX BGA | X2V2000E-6FG680C.pdf | |
![]() | B3R150L | B3R150L bs 3R | B3R150L.pdf | |
![]() | ESCD201 | ESCD201 ORIGINAL SMD or Through Hole | ESCD201.pdf | |
![]() | B100 | B100 Fairchild SMD or Through Hole | B100.pdf | |
![]() | 4040C/IM2.5//IM5.0 | 4040C/IM2.5//IM5.0 NS SOP8 | 4040C/IM2.5//IM5.0.pdf | |
![]() | HM511000JP12 | HM511000JP12 HITACHI SMD or Through Hole | HM511000JP12.pdf |