Infineon Technologies IGB03N120H2ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IGB03N120H2ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- IGBT - 단일
- 간단한 설명
- IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
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IGB03N120H2ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
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창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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- ₩ 1,019.90900
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IGB03N120H2ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IGB03N120H2ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IGB03N120H2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| IGBT 유형 | - | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 9.6A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 9.9A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A | |
| 전력 - 최대 | 62.5W | |
| 스위칭 에너지 | 290µJ | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 22nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 9.2ns/281ns | |
| 테스트 조건 | 800V, 3A, 82 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IGB03N120H2 IGB03N120H2-ND SP000014616 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IGB03N120H2ATMA1 | |
| 관련 링크 | IGB03N120, IGB03N120H2ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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