창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IFC0603ER1N8J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | IFC0603ER1N8J | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | IFC0603ER1N8J | |
| 관련 링크 | IFC0603, IFC0603ER1N8J 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | TAJR475K002RNJ | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 2.5V 0805 (2012 Metric) 20 Ohm 0.081" L x 0.051" W (2.05mm x 1.30mm) | TAJR475K002RNJ.pdf | |
![]() | NE662M04-T2-A | RF TRANSISTOR NPN SOT-343F | NE662M04-T2-A.pdf | |
| CDRH8D58/LDNP-6R2NC | 6.2µH Shielded Inductor 5.5A 20 mOhm Max Nonstandard | CDRH8D58/LDNP-6R2NC.pdf | ||
![]() | RG3216P-3161-B-T1 | RES SMD 3.16K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-3161-B-T1.pdf | |
![]() | LC1458CB3TR33 | LC1458CB3TR33 Leadchip SOT23-3 | LC1458CB3TR33.pdf | |
![]() | SBYV26E | SBYV26E Taychipst DO-15 | SBYV26E.pdf | |
![]() | ULN2003L(003535) | ULN2003L(003535) UTC DIP16 | ULN2003L(003535).pdf | |
![]() | EP953111 | EP953111 PCA PDIP | EP953111.pdf | |
![]() | ST4685BN | ST4685BN ST DIP-8 | ST4685BN.pdf | |
![]() | OPA547F #LF | OPA547F #LF TI SMD or Through Hole | OPA547F #LF.pdf | |
![]() | JGC-3035 | JGC-3035 ORIGINAL DIP16 | JGC-3035.pdf |