창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ICTE5-E3/51 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ICTE5.0 - 18C, 1N6373 - 86 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | TransZorb® | |
| 포장 | 벌크 | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 1 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V | |
| 전압 - 항복(최소) | 6V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 7.5V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 160A | |
| 전력 - 피크 펄스 | 1500W(1.5kW) | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-201AA, DO-27, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | 1.5KE | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | ICTE5-E3/51GI ICTE5-E3/51GICT ICTE5-E3/51GICT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ICTE5-E3/51 | |
| 관련 링크 | ICTE5-, ICTE5-E3/51 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CM309A53.125MABJT | 53.125MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SOJ, 2.85mm 피치 | CM309A53.125MABJT.pdf | |
![]() | CRCW080522R0JNEAIF | RES SMD 22 OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW080522R0JNEAIF.pdf | |
![]() | P51-300-A-S-P-5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Absolute Female - 1/4" (6.35mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-300-A-S-P-5V-000-000.pdf | |
![]() | DAS1159 | DAS1159 AD SMD or Through Hole | DAS1159.pdf | |
![]() | JZ6301 | JZ6301 JZ SMD or Through Hole | JZ6301.pdf | |
![]() | MT58L128L36P1T-5A | MT58L128L36P1T-5A MT TQFP | MT58L128L36P1T-5A.pdf | |
![]() | TPDHR1V105K8S-X | TPDHR1V105K8S-X NEC SMD or Through Hole | TPDHR1V105K8S-X.pdf | |
![]() | W8375P | W8375P ORIGINAL PLCC | W8375P.pdf | |
![]() | H8S/2140 | H8S/2140 HITACHI QFP | H8S/2140.pdf | |
![]() | 50ME2R2PX | 50ME2R2PX SANYO DIP | 50ME2R2PX.pdf | |
![]() | HI1608R15JT | HI1608R15JT ORIGINAL SMD | HI1608R15JT.pdf | |
![]() | GD80960JC33 | GD80960JC33 INTEL BGA | GD80960JC33.pdf |