창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HYB18T256800BF3S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | HYB18T256800BF3S | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | HYB18T256800BF3S | |
| 관련 링크 | HYB18T256, HYB18T256800BF3S 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1885C1H1R0BZ01D | 1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H1R0BZ01D.pdf | |
![]() | 0268.005V | FUSE BRD MNT 5MA 125VAC/VDC RAD | 0268.005V.pdf | |
![]() | SIT8008AIB7-25E | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 4.5mA Enable/Disable | SIT8008AIB7-25E.pdf | |
![]() | LQW18AN3N0C80D | 3nH Unshielded Wirewound Inductor 670mA 170 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18AN3N0C80D.pdf | |
![]() | RG1005N-1181-B-T5 | RES SMD 1.18KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-1181-B-T5.pdf | |
![]() | PHP00603E7151BBT1 | RES SMD 7.15K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E7151BBT1.pdf | |
![]() | NQ80000PCH-QH16ES | NQ80000PCH-QH16ES INTEL BGA | NQ80000PCH-QH16ES.pdf | |
![]() | P2003 | P2003 NIKO SMD or Through Hole | P2003.pdf | |
![]() | EFB9151PE | EFB9151PE ORIGINAL DIP | EFB9151PE.pdf | |
![]() | NKG105-B | NKG105-B STANLEY ROHS | NKG105-B.pdf | |
![]() | ADM2209EARU-REEL7 | ADM2209EARU-REEL7 AD TSSOP38 | ADM2209EARU-REEL7.pdf | |
![]() | ATA6625-TAPY19 | ATA6625-TAPY19 ATM SMD or Through Hole | ATA6625-TAPY19.pdf |