창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HY64SD16160B-DF85EDR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | HY64SD16160B-DF85EDR | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | HY64SD16160B-DF85EDR | |
| 관련 링크 | HY64SD16160B, HY64SD16160B-DF85EDR 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | FCN6040E105K | 1µF Film Capacitor 250V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 6039 (1510 Metric) 0.598" L x 0.394" W (15.20mm x 10.00mm) | FCN6040E105K.pdf | |
![]() | ASTMHTD-24.576MHZ-ZR-E-T3 | 24.576MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-24.576MHZ-ZR-E-T3.pdf | |
![]() | MCR10EZHF5621 | RES SMD 5.62K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF5621.pdf | |
![]() | DSO321SV-19.8MHZ | DSO321SV-19.8MHZ KDS 2000RX10 | DSO321SV-19.8MHZ.pdf | |
![]() | SN104434AFN | SN104434AFN TI PLCC | SN104434AFN.pdf | |
![]() | PSB 80170(V1.1) | PSB 80170(V1.1) Infineon LBGA | PSB 80170(V1.1).pdf | |
![]() | BLM18GG471SN1 | BLM18GG471SN1 MURATA SMD or Through Hole | BLM18GG471SN1.pdf | |
![]() | TMP86C807N4PC6 | TMP86C807N4PC6 TOSHIBA SMD or Through Hole | TMP86C807N4PC6.pdf | |
![]() | RT3090L CPU RT3090L 802.11 b/g/n | RT3090L CPU RT3090L 802.11 b/g/n RALINK QFN76 | RT3090L CPU RT3090L 802.11 b/g/n.pdf | |
![]() | K9F2G08U0APIB0000 | K9F2G08U0APIB0000 SAMSUNG Tube 96 | K9F2G08U0APIB0000.pdf | |
![]() | FQB7N20 | FQB7N20 FAIRC TO-263(D2PAK) | FQB7N20 .pdf | |
![]() | CL31C331JBNC | CL31C331JBNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL31C331JBNC.pdf |