창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-HY62WT08081E-70 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | HY62WT08081E-70 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | HY62WT08081E-70 | |
관련 링크 | HY62WT080, HY62WT08081E-70 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | XRCGB25M000F3M00R0 | 25MHz ±30ppm 수정 6pF 150옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | XRCGB25M000F3M00R0.pdf | |
![]() | 445A33A12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 10pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A33A12M00000.pdf | |
![]() | MBRD330RLG | DIODE SCHOTTKY 30V 3A DPAK | MBRD330RLG.pdf | |
![]() | FDMA6023PZT | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET | FDMA6023PZT.pdf | |
![]() | HKQ0603U0N8C-T | 0.8nH Unshielded Multilayer Inductor 900mA 60 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603U0N8C-T.pdf | |
![]() | ERJ-2BWJR051X | RES SMD 0.051 OHM 5% 1/4W 0402 | ERJ-2BWJR051X.pdf | |
![]() | IDT5V49EE903NLGI | IDT5V49EE903NLGI IDT QFN32 | IDT5V49EE903NLGI.pdf | |
![]() | LT1055S8#PBF | LT1055S8#PBF LT SMD or Through Hole | LT1055S8#PBF.pdf | |
![]() | MA27V090Q1TD | MA27V090Q1TD Panasonic SMD or Through Hole | MA27V090Q1TD.pdf | |
![]() | ICM7363 | ICM7363 ICMIC SSOP | ICM7363.pdf | |
![]() | ILD66-1-X009 | ILD66-1-X009 VIS/INF DIP SOP | ILD66-1-X009.pdf | |
![]() | MM-B0207-1-60-10R0-J | MM-B0207-1-60-10R0-J IRC SMD | MM-B0207-1-60-10R0-J.pdf |