창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HVF1206T5002FE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HVF Series | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Resistors | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | HVF Series "E" Series Material Declaration | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2261 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | HVF | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 50k | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.3W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 고전압, 내습성, 비자기 | |
| 온도 계수 | ±100ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 200°C | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1206 | |
| 크기/치수 | 0.128" L x 0.063" W(3.25mm x 1.60mm) | |
| 높이 | 0.028"(0.71mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | HVF1206T5002FEBK | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HVF1206T5002FE | |
| 관련 링크 | HVF1206T, HVF1206T5002FE 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
![]() | NR10050T4R9N | 4.9µH Shielded Wirewound Inductor 6A 19.5 mOhm Max Nonstandard | NR10050T4R9N.pdf | |
![]() | CDEP105NP-0R1NC-32 | 150nH Shielded Wirewound Inductor 19A 1.7 mOhm Max Nonstandard | CDEP105NP-0R1NC-32.pdf | |
![]() | ERA-6ARW913V | RES SMD 91K OHM 0.05% 1/8W 0805 | ERA-6ARW913V.pdf | |
![]() | PTN1206E2290BST1 | RES SMD 229 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E2290BST1.pdf | |
![]() | CMF6013K000FHEB | RES 13K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6013K000FHEB.pdf | |
![]() | 74ALVC162835DGGRG4 | 74ALVC162835DGGRG4 TI l | 74ALVC162835DGGRG4.pdf | |
![]() | 073-20813-50 | 073-20813-50 CELESTICA SMD or Through Hole | 073-20813-50.pdf | |
![]() | PMG8218V | PMG8218V Ericsson SMD or Through Hole | PMG8218V.pdf | |
![]() | GO6200TENPB64M | GO6200TENPB64M NVIDIA BGA | GO6200TENPB64M.pdf | |
![]() | LC8783M4PA-58L5-E | LC8783M4PA-58L5-E SANYO QFP | LC8783M4PA-58L5-E.pdf | |
![]() | MK5375N-00M | MK5375N-00M ST DIP-18 | MK5375N-00M.pdf | |
![]() | 7650AST | 7650AST DALLAS QFP | 7650AST.pdf |