창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HUFA76409D3ST | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HUFA76409D3, HUFA76409D3ST | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, UltraFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 63m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 485pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 49W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | HUFA76409D3ST-ND HUFA76409D3STTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HUFA76409D3ST | |
| 관련 링크 | HUFA764, HUFA76409D3ST 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | S0603-33NF1S | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 250 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-33NF1S.pdf | |
![]() | MFP-25BRD52-3K3 | RES 3.3K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | MFP-25BRD52-3K3.pdf | |
![]() | AD7572AANZ10 | AD7572AANZ10 AD/ADI PDIP-24 | AD7572AANZ10.pdf | |
![]() | MM74HC4514N | MM74HC4514N FSC DIP | MM74HC4514N.pdf | |
![]() | SAA7288ZP | SAA7288ZP PHI DIP-52 | SAA7288ZP.pdf | |
![]() | RJ4-10V471MG3 | RJ4-10V471MG3 ELNA SMD or Through Hole | RJ4-10V471MG3.pdf | |
![]() | FTR-MYAA4.5D | FTR-MYAA4.5D fujitsu SMD or Through Hole | FTR-MYAA4.5D.pdf | |
![]() | HP32E122MSBPF | HP32E122MSBPF HITACHI DIP | HP32E122MSBPF.pdf | |
![]() | BC850B,235 | BC850B,235 NXP SOT23 | BC850B,235.pdf | |
![]() | 5962-8774201VEA | 5962-8774201VEA TI DIP-16 | 5962-8774201VEA.pdf | |
![]() | 550-0207-004 | 550-0207-004 DIALIGHT ORIGINAL | 550-0207-004.pdf | |
![]() | LYT66F-ABBB-46 | LYT66F-ABBB-46 OSRAM SMD or Through Hole | LYT66F-ABBB-46.pdf |