창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HUF76629D3ST | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HUF76629D3, HUF76629D3S | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UltraFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 52m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1285pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | HUF76629D3ST-ND HUF76629D3STTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HUF76629D3ST | |
관련 링크 | HUF7662, HUF76629D3ST 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
B41560A8479M | 47000µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 10 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B41560A8479M.pdf | ||
B32529C3393J | 0.039µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial | B32529C3393J.pdf | ||
VLF12060T-220M4R1 | 22µH Shielded Wirewound Inductor 4.1A 36 mOhm Max Nonstandard | VLF12060T-220M4R1.pdf | ||
KC DE7090B221K400VAC | KC DE7090B221K400VAC ORIGINAL SMD or Through Hole | KC DE7090B221K400VAC.pdf | ||
OP490CY/883 | OP490CY/883 AD/PMI CDIP14 | OP490CY/883.pdf | ||
8552TS | 8552TS PHI TSOP20 | 8552TS.pdf | ||
RM8-4C6-E40 | RM8-4C6-E40 Philips SMD or Through Hole | RM8-4C6-E40.pdf | ||
HA1361P | HA1361P HITACHI DIP | HA1361P.pdf | ||
LL1005-FHL22NS | LL1005-FHL22NS TOKO SMD | LL1005-FHL22NS.pdf | ||
S4V | S4V N/A SOT143 | S4V.pdf |