창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HUF75652G3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HUF75652G3 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Plating Material 20/Dec/2007 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UltraFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 475nC(20V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7585pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 515W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HUF75652G3 | |
관련 링크 | HUF756, HUF75652G3 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RC1218FK-072K2L | RES SMD 2.2K OHM 1W 1812 WIDE | RC1218FK-072K2L.pdf | |
![]() | CRGH2512F3K16 | RES SMD 3.16K OHM 1% 2W 2512 | CRGH2512F3K16.pdf | |
![]() | RP331005 | RP331005 ORIGINAL DIP | RP331005.pdf | |
![]() | 103HRD-3 | 103HRD-3 SuperBright 2010 | 103HRD-3.pdf | |
![]() | MIC524812YM5TR | MIC524812YM5TR micrel INSTOCKPACK3000 | MIC524812YM5TR.pdf | |
![]() | NPIS21D2R2YTRF | NPIS21D2R2YTRF NIC SMD | NPIS21D2R2YTRF.pdf | |
![]() | RJC40432/33 | RJC40432/33 ORIGINAL SMD or Through Hole | RJC40432/33.pdf | |
![]() | LMH0026MHX/NOPB | LMH0026MHX/NOPB NS TSSOP | LMH0026MHX/NOPB.pdf | |
![]() | MP.PIC18F6720-I/PT | MP.PIC18F6720-I/PT MICROCHIP SMD or Through Hole | MP.PIC18F6720-I/PT.pdf | |
![]() | RC2012F4421AS | RC2012F4421AS SAMSUNG SMD | RC2012F4421AS.pdf | |
![]() | 98P2362 | 98P2362 EZCHIP BGA | 98P2362.pdf | |
![]() | SAA7139HL | SAA7139HL PHI QFP | SAA7139HL.pdf |