창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HTNFET-T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HTNFET Datasheet | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | |
계열 | HTMOS™ | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 100mA, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.3nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 28V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | -55°C ~ 225°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 4-SIP | |
공급 장치 패키지 | 4-전력 탭 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 342-1091 HTNFET-T-ND HTNFETT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HTNFET-T | |
관련 링크 | HTNF, HTNFET-T 데이터 시트, Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 에이전트 유통 |
GRM1555C1E6R7CZ01D | 6.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E6R7CZ01D.pdf | ||
AS4PD-M3/87A | DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A | AS4PD-M3/87A.pdf | ||
MLG0603S2N2STD25 | 2.2nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 250 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603S2N2STD25.pdf | ||
AMD9513DC | AMD9513DC AMD DIP40 | AMD9513DC.pdf | ||
941035006 | 941035006 MOLEXAUTOMOTIVE SMD or Through Hole | 941035006.pdf | ||
TDA3506M | TDA3506M TFK DIP-28 | TDA3506M.pdf | ||
88E1119RA0- | 88E1119RA0- Marvell SMD or Through Hole | 88E1119RA0-.pdf | ||
MC7260DJBS | MC7260DJBS MOT SMD or Through Hole | MC7260DJBS.pdf | ||
AM49LV128BMAL11N | AM49LV128BMAL11N SPANSION/AMD FBGA64 | AM49LV128BMAL11N.pdf | ||
CYM1851PZ-35C | CYM1851PZ-35C CYPRESS SMD or Through Hole | CYM1851PZ-35C.pdf | ||
DRHD2405 | DRHD2405 DEXU DIP | DRHD2405.pdf | ||
LQG18HH68NJ00 | LQG18HH68NJ00 MURATA SMD | LQG18HH68NJ00.pdf |